90纳米制程

90纳米制程半导体制造制程的一个水平,大约于2004年至2005年左右达成。[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔AMD英飞凌德州仪器IBM台積電所完成。

许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻

此外,12英寸晶圓在这个制程上成为主流。

具有90纳米制程的产品

参考文献

先前
130纳米制程
半导体器件制造制程其後
65纳米制程