Manyetodirenç

Manyetodirenç, bir maddenin (sıklıkla ferromanyetik) dışarıdan uygulanan manyetik alan etkisiyle elektrik direncini değiştirme yatkınlığıdır. Manyetodirenç olarak adlandırılabilecek etkiler çok çeşitlidir. Bazıları manyetik olmayan metal ve yarı iletken yığınlarında oluşur: Geometrik manyetodirenç, Shubnikov-de Haas titreşimi ya da metallerde görülen pozitif manyetodirenç gibi.^[1] Diğer etkiler ise manyetik metallerde görülür: ferromıknatısların negatif manyetodirenci^[2] ya da anisotropik manyetodirenç (AMR) gibi. Son olarak, çok bileşenli ya da çok katmanlı sistemlerde görülür: dev manyetodirenç (GMR), tünel manyetodirenci (TMR) gibi.

Manyetodirenci ilk defa 1856 yılında William Thomson keşfetti, ancak hiçbir şeyin direncini %5'ten daha fazla azaltmayı başaramadı. Günümüzde, direnci onlarca kat değişebilen yarı metal ve EMR yapıları bilinmektedir.^[3] Elektrik direncini değiştiren farklı etkiler bulunduğu için, doğrudan manyetik alanla değişen ve dolaylı manyetizma yoluyla değişen sistemler ayrı değerlendirilmelidir.