Quecksilbertellurid

chemische Verbindung

Quecksilbertellurid (HgTe) ist eine kristalline Verbindung aus der Gruppe der Telluride, die aus Quecksilber und Tellur mit einer (kubischen) Zinkblende-Kristallstruktur gebildet wird. Die Raumgruppe ist F43m (Nr. 216)Vorlage:Raumgruppe/216. In seiner kristallinen Form ist es ein direkter Halbleiter und zählt zu den II-VI-Verbindungshalbleitern.

Kristallstruktur
Kristallstruktur von Quecksilbertellurid
_ Hg2+ 0 _ Te2−
Kristallsystem

kubisch

Raumgruppe

F43m (Nr. 216)Vorlage:Raumgruppe/216

Gitterparameter

a = 642,9 pm[1]

Allgemeines
NameQuecksilbertellurid
Andere Namen

Quecksilber(II)-tellurid

VerhältnisformelHgTe
Kurzbeschreibung

schwarze Kristalle[2]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer12068-90-5
EG-Nummer235-108-9
ECHA-InfoCard100.031.905
PubChem82914
WikidataQ412491
Eigenschaften
Molare Masse329,18 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

8,12 g·cm−3 (20 °C)[2]

Schmelzpunkt

673 °C[2]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[3] ggf. erweitert[2]
GefahrensymbolGefahrensymbolGefahrensymbol

Gefahr

H- und P-SätzeH: 300​‐​310​‐​330​‐​373​‐​410
P: 260​‐​301+310​‐​320​‐​361​‐​405​‐​501[2]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Vorkommen

In der Natur kommt Quecksilbertellurid als seltenes Mineral Coloradoit vor.

Eigenschaften

Das natürlich schwach p-leitfähige Halbleitermaterial Quecksilbertellurid kann durch Dotierung mit Elementen wie Brom, Aluminium, Gallium oder Indium in einen n-leitfähigen Halbleiter überführt werden, bei Dotierung mit Zink oder Kupfer kann die p-Leitfähigkeit verstärkt werden.

Quecksilbertellurid kann durch die metallorganische Gasphasenepitaxie hergestellt werden. Anwendungen liegen im Bereich der Festkörperphysik als topologischer Isolator.

Verwandte Verbindungen

Literatur

  • Ed. J. Brice, P. Capper: Properties of mercury cadmium telluride. EMIS datareview, INSPEC, IEE, London 1987.

Einzelnachweise