7 nanòmetres

7 nanòmetres (7 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 7 nm. És una millora de la tecnologia de 10 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de $7\simeq {\frac {10}{\sqrt {2}}}$ . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 13 àtoms de llargada.

Història

2002, l'empresa IBM produeix un transistor de 6 nm.^[1]
2003, l'empresa NEC produeix un transistor de 5 nm.^[2]
2012, IBM produeix un transistor de nanotubs de carboni (CNT) per sota de 10 nm.^[3]
2015, IBM anuncia que ha fabricat el primer transistor de 7 nm usant procés de silici-germani.^[4]

Tecnologia emprada

Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k
Tecnologia de materials amb Dielèctric low-k
Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant)
Tecnologia de litografia millorada amb llum ultraviolada i multiple patterning, Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica).
Tecnologia de transistor FinFET

Processadors

Informació preliminar:^[5]

Fabricant	Intel		Common Platform		TSMC
Nom del procés	P1276
Primera producció
Tipus	FinFET
	Valor	10 nm Δ	Valor	10 nm Δ	Valor	10 nm Δ
Pas de Fin	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Amplada de Fin	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Alçada de Fin	? nm	?x	? nm	?x	? nm	?x
Pas de contacte de porta	? nm	?x	48 nm	0.75x	54 nm	0.84x
Pas de connexió	? nm	?x	36 nm	0.75x	38 nm	0.90x
Cel·lula 1 bit de RAM (HD)	? µm²	?x	? µm²	?x	? µm²	?x
Cel·lula 1 bit de RAM (LP)	? µm²	?x	? µm²	?x	0.027 µm²	?x

Common Platform : IBM, Samsung, GlobalFoundries

Vegeu també

Circuit integrat
Tecnologia SOI
Tecnologia Dielèctric high-k
Tecnologia Dielèctric low-k
Tecnologia litogràfica amb llum ultraviolada i multiple patterning

Referències

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

Search